SQW相关论文
湖南省科学委员会于1982年8 12日～14日于湖南省湘乡县召开了SQW—5PM双区电除尘器鉴定会。参加会议的有湖南省、地、县科委及环保......
应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器,室温单面连续输出光功率超过500mW,激射波长为820.3nm,并讨论了注......
分析了具有缓变折射率分别限制单量子阱的波导特性。用有限差分方法解出了波导对于基模的等效折射率。在此基础上，通过计算波导中垂......
发光强度为１２ｃｄ的超高亮度绿色ＩｎＧａＮ单量子阱（ＳＱＷ）结构发光二极管已研制成功。该器件的输出功率、外量子效率、峰值波长和光谱半宽在正向电流２０ｍＡ下分......
介绍了无铝激光器的优点;利用LP-MOVPE生长了InGaAsP/InGaP/GaAs分别限制异质结构单量子阱(SCH-SQW)结构,讨论了激光器的腔长对特......
介绍了ＩｎＧａＮ单量子阱超高亮度蓝色ＬＥＤ的结构和性能，其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为２０ｍＡ时分，分别为８ｃｄ、４５０ｎｍ和２５ｎｍ。......
采用金属有机物气相外延（MOVPE）方法，生长出InGaN/G aN单量子阱结构的绿光发光 二极管（LED）。测量了其电致发光光谱及发光强度与注入电......
介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用一种改进的液相外延 (LPE)技术 ......
采用金属有机物气相外延方法，研制了ＩｎＧａＮ／ＧａＮ单量子阱结构的绿光发光二极管，测量了其电致发光光谱，及发光强度与注入电流的关系，室温２０ｍＡ的注入电汉......
采用MOCVD技术在φ40mmGaAs衬底上研制成大功率GaAs/GaAlAs单量子阱激光器。该激光器激射波长为830～870nm,室温CW阈值电流密度小于3......
